Разгон оперативной памяти ddr4 на amd ryzen и intel core

Описание оборудования для разгона ОЗУ Crucial DDR4

Для разгона оперативной памяти Crucial DDR4 используется материнская плата BioStar с сокетом АМ4, форм-фактор которой miniATX. Процессор установлен AMD Ryzen, у которого четыре ядра и восемь потоков. Номинальная частота центрального процессора равна 3700 мегагерц, а кэш третьего уровня доходит до восьми мегабайт.

Для демонстрации прироста понадобится дискретный графический адаптер, в лице которого представлена GeForce GTX 1050Ti. Четыре гигабайта видеопамяти типа GDDR5 обладают 128-битной шиной и 768 CUDA-ядрами.

Блок питания от ZALMAN мощностью 450 ватт обладает бронзовым сертификатом качества международного уровня «80+».

Сама оперативная память представлена в виде одной планки на восемь гигабайт. Ее частота в стоке составляет 2400 мегагерц, а время задержки 17-17-17-42.

Что лучше разгонять: процессор или память?

На этот вопрос IT-эксперты не дают однозначного ответа. Почти всегда имеет смысл делать и то и другое одновременно. Вместе с тем некоторые специалисты полагают, что отдельный разгон процессора даст гарантированное увеличение производительности системы. В то время как эффект от использования разогнанной памяти не всегда сопровождается реальным ускорением работы ПК, а иногда даже, наоборот, система начинает «тормозить».

Как разогнать оперативную память компьютера так, чтобы производительность гарантированно выросла, но при этом снизилась вероятность возникновения неисправностей? Раскрыть реальный потенциал аппаратных компонентов ПК, как считают IT-эксперты, можно, реализуя комплексный подход, который выражается в одновременной работе по разгону самых разных типов «железа».

В частности, практическая значимость увеличения производительности ПК возникает, как правило, при запуске компьютерных игр и мощных графических приложений. Поэтому одновременно с ОЗУ и процессором имеет смысл разогнать также и видеокарту. Выставляя параметры оперативной памяти, предполагающие искусственное ускорение ее работы, следует сопоставлять их со значениями, которые потребуется устанавливать для других аппаратных компонентов ПК.

Разгон комплекта

Для начала стоит в БИОСе выставить делитель, который позволит максимально увеличить частоту работы оперативной памяти. Далее необходимо увеличить вольтаж, так как чем выше частота работы, тем больше энергии потребуется оборудованию. Выше показателя в полтора вольта поднимать не рекомендуется, но некоторым пользователям удается поднять данное значение до отметки 1,65 вольта.

По окончанию настроек разгона оперативной памяти DDR4 Corsair показатель увеличивается до трех гигагерц, что можно заметить при тестировании в программах или в играх. В то же время разгон с показателя 2133 до 2400 мегагерц дает всего 1-2 процента прироста в играх.

Соковыжималка

С тем, как работает оперативная память, мы разобрались.
Теперь осталось понять, как добиться от нее большей производительности, — и вот
с этим дело не просто. Существует два разных способа разгона памяти. Первый
подразумевает повышение частоты модулей, второй — понижение таймингов. Другими словами:
можно либо увеличивать количество тактов в секунду, либо делать сами такты
более продуктивными. В идеале, конечно, следует использовать оба метода
одновременно, но улучшение одного параметра всегда ведет к ухудшению другого, и
подобрать оптимальный баланс нелегко. Нельзя сказать заранее, что окажется
полезнее вашей системе — высокочастотная память с ослабленными таймингами или
модули, функционирующие на более низкой частоте, но обладающие минимальными
задержками.

Если вы готовы драться за каждый лишний балл в каком-нибудь
PCMark, то мы рекомендуем перепробовать несколько различных соотношений частоты
и таймингов и выбрать тот, что дает наилучший результат конкретно для вашей
системы. В противном случае будет разумнее сначала увеличить тайминги, потом
найти частотный потолок для используемых модулей памяти, а затем попытаться
вновь снизить задержки — как показывает практика, такой подход чаще оказывается
выигрышным. При этом на протяжении всего пути не стоит сильно отклоняться от
базового соотношения таймингов: первые три задержки должны быть примерно
одинаковыми, а для четвертой желательно выставлять значение равное сумме этих
таймингов или чуть ниже.

При разгоне памяти нельзя обойтись без помощи тестов,
измеряющих производительность системы, — именно они позволят оценить, насколько
велик прирост быстродействия вследствие ваших манипуляций и есть ли он вообще. Может
показаться парадоксальным, но порою понижение таймингов или увеличение частоты
оперативки может негативно сказаться на скорости работы компьютера — случаются
такие сюрпризы нечасто, но отмахиваться от них не стоит. В общем, без
бенчмарков никуда. Какое ПО лучше всего использовать? Мы советуем джентльменский
набор из PCMark, Everest и WinRAR (встроенный тест), но
вообще список диагностических утилит для памяти обширен — выбирайте то, что
больше по душе. Кстати говоря, бенчмарки полезны еще и потому, что позволяют
проверить память на стабильность работы. А после того, как разгон будет
считаться завершенным, не помешает дополнительно помучить компьютер
стресс-тестами вроде OCCT и S&M, дабы окончательно убедиться
в стабильности системы.

Проводя эксперименты, не стоит забывать о повышении
напряжения, причем речь идет не только о самих модулях, но и о контроллере
памяти — нередко именно он мешает раскрыть весь потенциал разгоняемых плашек.
Ранее на платформах Intel этот важный элемент системы располагался в северном
мосту чипсета, однако с недавних пор он окончательно переселился в центральные
процессоры, поэтому на современных платформах увеличение напряжения на
контроллере негативно сказывается на температуре ЦП. Таким образом, иногда для
эффективного разгона памяти приходится дополнительно усиливать охлаждение
процессора, а не самих модулей. Предостережем: не повышайте напряжение на
контроллере более чем на четверть, это может привести к печальным последствиям.

Наконец, стоит заранее определиться, каким образом будет
осуществляться разгон. Можно либо воспользоваться специальной утилитой, либо
изменять необходимые параметры непосредственно в BIOS. Мы настоятельно
рекомендуем взять на вооружение второй вариант, поскольку ни одна программа не
в состоянии раскрыть все возможности, предоставляемые системной платой. Соответственно,
перед проведением опытов не помешает внимательно изучить инструкцию к материнке
— это позволит понять, что именно скрывается под тем или иным пунктом в BIOS.
Так уж сложилось, что каждый производитель стремится ввести в обиход свои
собственные обозначения, и даже такие, казалось бы, общепринятые термины, как
названия таймингов, могут варьироваться от платы к плате.

И еще: не стоит сразу впадать в панику, если на определенном
этапе разгона система вдруг напрочь откажется стартовать. Как правило, это означает
лишь, что материнская плата не может автоматически сбросить неприемлемые для
нее настройки BIOS. Встречается данная болезнь не так часто и лечится она
банальным выниманием батарейки из платы. А вот если это не поможет — тогда уже
можно и паниковать.

От чего зависит разгон?

Самые главные характеристики ОЗУ — это частота и тайминги. Тайминги отображают, какой промежуток времени необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти. Если говорить простым языком, то чем они ниже, тем лучше

Однако именно частота, всё же, является самой важной характеристикой и в большей степени влияет на производительность памяти

Вольтаж

Как и при разгоне процессора, память, работающая на высокой частоте, потребует и увеличенного напряжения, подаваемого на чипы. Для ОЗУ с типом DDR2, 1,8 В — нормальное напряжение. Для DDR3 — уже 1,5 В. А для современной DDR4 — 1,2 В. Соответственно, для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работа стабильно и не вышла из строя. Для DDR2 значение 2,2 В считается пиковым. Для DDR3 — 1,7 В. Для DDR4 — 1,4 В.

Ранг памяти

Узнать, сколько рангов имеет ваша память — очень просто. Для этого нужно воспользоваться любой утилитой, которая мониторит технические характеристики ваших комплектующих. Например, с этой задачей хорошо справляет программа CPU-Z. На вкладке SPD, в графе Ranks, вы найдете то, что вам нужно.

Еще можно взглянуть на маркировку на самой планке. Однако, производитель не всегда наносит на маркировку подобные данные. Одноранговые модули помечаются буквой S. Двухранговые — буквой D. Пример:

• KVR21N15S8/8 — одноранговая.
• KVR21N15D8/8 — двухранговая.

Производитель чипов

Существует несколько компаний, занимающихся производством чипов памяти. Самые распространенные — Samsung, Hynix, Micron. Лучше всех в разгоне показывают себя чипы от компании Samsung из-за того, что способны взять самую высокую частоту среди конкурентов. Впрочем чипы от оставшихся производителей — тоже неплохие. Другое дело — компании, которые в производстве чипов не так сильно преуспели. Например, фирменные чипы от AMD или от SpecTek не позволят вам покорить высокую частоту. Посмотреть производителя чипов тоже можно с помощью программ для мониторинга. Например, AIDA64 это умеет.

В главном окне выберете категорию Системная плата, затем «SPD» и в графе «Производитель DRAM» найдете компанию-разработчика.

Комплектация Kingston HyperX Fury

Комплектация планок оперативной памяти от Kingston довольно скромная и не содержит ничего лишнего. Пластиковый кейс надежно защищает модули от внешних повреждений, которые могут возникнуть при транспортировке. Открыв коробку, можно увидеть помимо планок инструкцию по эксплуатации и наклейку от производителя. В качестве приятного бонуса компания предоставляет пожизненную гарантию на ремонт оперативной памяти, но только в случае покупки в комплекте.

Для лучшего охлаждения модули оснащены защитным корпусом с радиатором. Охлаждение при разгоне играет важную роль, так как повышается энергопотребление и растет тепловыделение.

На задней стороне есть наклейка с данными HX424C15FBK432, которая расшифровывается следующим образом:

• HX — модель оперативной памяти HyperX;
• 4 — принадлежность к стандарту DDR4;
• 24 — определение рабочей частоты 2400 мегагерц;
• C — данная маркировка указывает на то, что оперативная память относится к настольному типу компьютеров;
• 15 — такова задержка чтения данного модуля;
• F — маркировка модели Fury;
• B — обозначение цветового сегмента планки;
• K4 — комплектация, в данном случае — четыре штуки;
• 32 — общий объем оперативной памяти.

Для того чтобы упростить процедуру установки модулей оперативной памяти в материнскую плату, производитель обеспечил возможность автоматического подключения. Данный параметр особенно важен в том случае, если нет возможности самостоятельно настроить показатели работы оперативной памяти.

Практические примеры

В качестве примера эффективности разгона были использованы результаты из некоторых видеоигр. Базовые параметры ОЗУ: скорость DDR-2133 и задержка CL15. Лучший результат по производительности дал следующий вариант разгона: DDR-3600 и CL15, вольтаж был повышен до 1.39V. Вот какие результаты получились:

1. «Counter Strike Global Offensive», прирост производительности – 10 %.
2. «GTA 5», прирост производительности – 18 %.
3. «Ведьмак 3», прирост производительности – 24 %.
4. «Shadow of the tomb rider», прирост производительности – 22 %.

Как видно из приведенного выше отчета, включение профиля XMP или разгон памяти вручную приводит к ощутимому увеличению производительности компьютера. В самом выгодном случае, то есть в «Ведьмаке», прирост производительности составил почти 25 %, а в худшем, то есть в «Counter Strike» – 10 %.

Что это такое и для чего необходимо

Прежде чем начинать разгон оперативной памяти DDR4, нужно прояснить некоторые нюансы. ОП — это то устройство, которое меньше всего подвергается износу, в отличие от остальных комплектующих в системе. Однако, устроив разгон оперативной памяти DDR4, можно значительно уменьшить ее срок функционирования.

При таких процедурах важно учитывать, что выставлять настройки придется не единожды, так как экспериментировать придется с таймингами, частотами и напряжением. Повышая частоту, можно увеличить задержки тайминга, но тогда скорость работы упадет, потому что именно минимальный показатель отвечает за быстродействие оперативной памяти

Есть три составляющие, которые влияют на разгон оперативной памяти DDR4 — это формат оперативной памяти и ее параметры, разновидность процессора и БИОС материнской платы. Также нужно учитывать профиль ОЗУ, который маркируется как ХМР. Данный профиль указывает на разгонный потенциал оперативной памяти. Существует немало процессоров нового поколения, которые способны раскрыть потенциал ОЗУ, используя встроенный контроллер памяти.

Разгоняют оперативную память для того, чтобы максимально увеличить производительность всей системы, ведь чем выше частоты у данного комплектующего, тем быстрее система сможет отвечать на запросы пользователя. В основном такими процедурами пользуются геймеры, так как в играх требуется большой объем памяти и высокие частоты.

При разгоне всегда повышается вольтаж, поэтому производители оперативной памяти не рекомендуют повышать данный показатель больше чем на полтора вольта. Однако некоторые модули способны выдержать входное напряжение до 1,65 вольта.

Процесс разгона

Если вы являетесь счастливым обладателем качественно исполненного кита памяти, как, например Corsair Vengeance 3200 МГц, то вас ждет простая и короткая последовательность действий в БИОСе. Достаточно просто выставить соответствующий XMP-профиль в настройках. XMP-профиль — заранее заготовленные разработчиками настройки памяти. Просто выберите нужную вам частоту, и XMP-профиль автоматически подстроит все остальные параметры. Выбрать профиль можно в разделе «OC», подраздел DRAM settings. Если память не поддерживает XPM, то придется подбирать все параметры вручную.

Не забудьте выставить напряжение в разделе «Dram Voltage«. Напоминаем, что рекомендуется не превышать отметку в 1,4 В. Можно сразу же выбрать максимальное значение и в случае стабильности системы убавлять.

Следующим шагом будет повышение напряжения контроллера памяти и L-3 кэша. Параметр называется CPU NB/SoC Voltage. В случае если вы не можете в настройках найти данный параметр, то причиной может быть устаревшая версия БИОСа материнской платы. Например, на материнке Asrock Fatality AB350 Gaming K4 данный функционал открывается только в самой свежей версии БИОСа, которая вышла пару месяцев назад. До этого владельцы такой доски не могли регулировать напряжение контроллера памяти. В среднем, рекомендуемые значения при разгоне находятся в диапазоне от 1,025 до 1,15 В. Точное значение подбирается экспериментальным путем, потому что сильно зависит от чипов памяти.

После всех проделанных манипуляций остается только подобрать соответствующие тайминги (если, конечно, ваши модули не поддерживают XMP). Тут всё зависит от степени разгона. При небольшом оверклокинге достаточно поднять все значения на пару тактов. Скажем, с 16-16-16-39 до 18-18-18-41. В первый раз можно взять с запасом и после прогона стресс-теста снизить значения.

Далее сохраняем изменения в БИОСе, нажав клавишу F10. Если система стартовала успешно, то нужно запустить стресс-тест. С этой задачей справится встроенный бенчмарк в AIDA64. Но лучше воспользоваться специализированным софтом вроде MemTest86. Если после теста всё работает стабильно и без ошибок, то возвращаемся в БИОС, снижаем тайминги и напряжение до тех пор, пока система не откажется запускаться. Таким образом, «методом тыка» мы ищем максимально производительные значения при которых система не вылетает. Далее снова прогоняем тесты, финальным штрихом является тяжелая нагрузка в играх. Если все ОК — потираем ручки и радуемся бонусной производительности.

• Выжимаем соки из ПК: разгон видеокарты

Описание процессора и процедура разгона

Процессоры с сокетом 2011 третьей ревизии обладают встроенным контроллером памяти, что не дает раскрыть процессорам данного поколения весь потенциал оперативной памяти, но это с лихвой компенсируется тем, что они предназначены для работы в четырехканальном режиме.

Начинать разгон оперативной памяти Kingston стоит с программы БИОСа

Для начала стоит обратить внимание на базовый генератор, где предстоит выставить число 125 мегагерц, а входное напряжение должно быть равным 1,475 вольта. Там, во вкладке Extreme Tweaker, есть раздел DRAM Timing Control, где выставляются параметры таймингов — 13-16-16-21-1Т

После выставления настроек можно проверить в программах, которые предназначены для диагностики системы. Таким образом, удалось обеспечить разгон оперативной памяти DDR4 HyperX Fury до трех гигагерц. Это самый лучший результат. Разгон оперативной памяти DDR4 с 2133 до 3000 мегагерц позволяет системе быстрее функционировать и отвечать на запросы.

Разгон ОЗУ

При работе с частотами 2400 мегагерц можно выставить тайминги по умолчанию или с показателями 15-15-15-32. Для разгона до 3333 мегагерц понадобится одна уловка. Дело в том, что оперативная память от данного производителя не даст запуститься системе, если первое значение в таймингах будет меньше двадцати. Получается, что оптимальный вариант будет выглядеть следующим образом: 20-19-19-38.

При минимальном латентном показателе 15-15-15-32 и с частотой 2400 мегагерц скорость чтения файлов всего 18180 мегабайт в секунду. С аналогичной частотой, но в стоковом режиме 17-17-17-39 показатели чтения данных не меняются. При разгоне модуля до 3333 мегагерц скорость чтения информации возрастает до 24 тысяч мегабайт в секунду.

В стоковом режиме оперативная память в играх демонстрирует показатели от 50 до 60 кадров, а при разгоне данный показатель дает прирост в 10-15 кадров. При этом настройки графики в играх выставлены на максимальное значение.

Индивидуальный подход

Когда дело доходит непосредственно до ковыряния в
многочисленных меню, становится понятно, что изменять тайминги куда проще, чем
частоту памяти. Это в видеокартах все элементарно: потянул в специальной
утилите ползунок вправо — получил нужную прибавку к частоте. С полноценными
DDR-модулями все намного сложнее.

Основные проблемы связаны с тем, что скорость работы
оперативки зависит сразу от двух параметров — опорной частоты (FSB, BCLK) и
множителя. Перемножая эти значения, мы получаем итоговую частоту ОЗУ. Однако
простое увеличение первого параметра почти наверняка приведет к непредвиденным результатам,
ведь это неизменно скажется на производительности других компонентов системы.
Можно, конечно, не трогать опорную частоту, но добиться впечатляющего разгона с
помощью одних лишь модификаций множителя в большинстве случаев невозможно.

На разных платформах изменение опорной частоты приводит к
разным последствиям. Кроме того, нередко ради повышения скорости работы памяти
требуется изменить рабочие параметры других исполнительных блоков системы.
Словом, к каждой платформе нужен свой подход, так что мы постараемся разобрать
основные нюансы для каждого случая. Рассматривать все возможные конфигурации
мы, разумеется, не станем — сосредоточимся на десктопных платформах,
появившихся в последние несколько лет. У всех них контроллер памяти
располагается в процессоре, так что можно сказать, что особенности разгона
зависят от того, какой именно кусок кремния является сердцем системы. Итак,
хит-парад самых актуальных на сегодняшний день процессоров…

Разгон оперативной памяти через БИОС

Разгон оперативной памяти DDR3 примерно такой же как у DDR4. Поиск настроек, тестирование и общий процесс будет проходить одинаково. Однако стоит подробнее разобраться с каждым из возможных вариантов для того, чтобы исключить серьезные ошибки. К тому же, есть два алгоритма разгона, которые отличаются.

Разгон ОЗУ в БИОС Award

Для начала стоит сказать, что мы советуем записать все изначальные настройки системы перед тем, как вы будете что-то менять, а также записывать результаты с определенными параметрами настроек. Так вам будет легче потом вернуть все в обычное состояние, а также не будет проблем, если вы захотите вернуться к одним из настроек, которые пробовали раньше. Записывать лучше на листке, который будет всегда под рукой.

Вам может быть интересна наша статья: Что делать, если не загружается БИОС: проблемы и решение.

Чтобы понять, как разогнать оперативную памяти в БИОСе Award, нажмите на своей клавиатуре одновременно Ctrl + F1, на экране должно появиться большое меню настроек. В настройках ищите “MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)”.

Вы должны увидеть такие настройки ОЗУ как System Memory Multiplier. Для того, чтобы начать работу по увеличению скорости ОЗУ и ее эффективности, вам необходимо менять частоту этого показателя. Так будет идти вниз или вверх показатель тактовой частоты ОЗУ

Важно помнить о том, что если вы хотите увеличить скорость работы ОЗУ, которая стоит на старом процессоре, то множитель для процессора и для памяти будет совпадать. Так что при попытках увеличить эффективность работы своей оперативной памяти, вы автоматически будете одновременно разгонять еще и процессор

Для многих окажется неприятной неожиданностью, но от этого «бага» вы никак не сможете избавиться. А чтобы увеличить эффективность ОЗУ в данном случае понадобится покупать дополнительную аппаратуру, но это особенность старой техники.

В этом же окне настроек вы можете увеличить напряжение, которое подается на оперативную память. Но будьте внимательны, это может делать только человек, который хорошо разбирается в технике потому что такие действия могут привести к непредвиденным последствиям и даже вызвать возгорание. Если вы не сильны в электрике — не трогайте. Также не нужно сильно поднимать напряжение за один раз — на одну десятую Вольта будет достаточно. И если вы все-таки захотели это сделать, проверьте все параметры собственной безопасности и убедитесь в правильных расчетах.

После собственноручной установки необходимой, по вашему мнению, частоты и после того, как вы поменяли напряжение (если знаете, умеете и решились на это), вам нужно выйти стрелкой назад к пункту с основным меню. В основном меню стоит найти “Advanced Chipset Features”. В этом пункте можно выбрать нужные вам тайминги задержки. Но запомните одну деталь: для настройки параметров задержки нужно заранее изменить положение пункта DRAM Timing Selectable из Auto на Manual. По сути, вы выведите его на возможность настраивать вручную.

Как рассчитать необходимую зависимость частот от тайминга, будет рассказано в разделе ниже.

Разгон ОЗУ в БИОСе UEFI

Биос UEFI — самый молодой БИОС из тех, которые устанавливаются на современные компьютеры, поэтому он выглядит очень похожим на операционную систему. Именно поэтому для обычного пользователя намного удобнее настраивать ОЗУ и другие параметры через этот БИОС. В отличие от более старых версий системы, у него есть графика, а также возможность поддержки разных языков, среди которых есть русский.

Прежде, чем начать настройку, следует открыть вкладку “M.I.T.” и выбрать в этой вкладке пункт “Расширенные настройки частот”. В этой версии БИОСа есть русский интерфейс, перепутать будет сложно.

После этого, как и в предыдущем пункте, необходимо начать регулировать настройки памяти. После — перейти в пункт “Расширенные настройки памяти и начать изменять параметры тайминга и напряжения (если вы имеете достаточно опыта и знаний для того, чтобы проводить подобне изменения настроек).

Как правильно разогнать оперативную память

Вопреки выше написанному, процесс не особенно сложен. Есть два вида разгона ОЗУ: ручной и автоматический.

Разгон вручную

Вручную RAM настраивается с помощью настроек в BIOS или UEFI во вкладке RAM -> Settings -> Memory или аналогичной (зависит от производителя). Разгон включает в себя перестановку таймингов, то есть вышеупомянутые параметры CL, RCD и Ras Precharge. Чтобы разблокировать возможность их настройки, нужно переключиться на ручную настройку (manual).

При повышении последующих параметров полезно использовать следующее уравнение: CL+RCD+RAS = tRAS. Однако это не правило, и с приобретением опыта лучше поэкспериментировать. Стоит опускать каждый параметр отдельно, и каждый раз включать программу для проверки стабильности

Это чрезвычайно важно, потому что только так получится определить оптимальную производительность

Разгон может проходить через:

1. Сокращение таймингов – таким образом, доступ к данным быстрее, что очень полезно при выполнении сложных вычислений.
2. Увеличение таймингов – таким образом увеличивается тайминг, который окажется полезным в играх.

Изменить тактовую частоту с помощью опции DRAM Clock. Значение по умолчанию стоит увеличить на несколько МГц, а затем проверить стабильность памяти с помощью Memtest. В тот момент, когда система перестает работать должным образом, стоит поднять напряжение в DRAM Voltage.

Например, DDR4 чаще всего имеет напряжение 1,2В. При разгоне нужно его повысить, от 1,35В до 1,5В – это безопасные значения. В самом начале стоит установить напряжение на 10 % выше номинального, и на этом основании проверить возможности разгона.

Автоматический разгон (XMP)

Чтобы пользователь не мучился с настройками в БИОСе, компания Intel создала специальную функцию – XMP. Ее поддерживают ряд материнских плат, поэтому если она имеется – лучше воспользоваться этой функцией. Вот небольшая инструкция:

Запустить BIOS. Перейти к настройкам под названием AI Overclock Tuner. В раскрывающемся списке выбрать опцию XMP. Затем ниже появится еще один флажок XMP, где нужно выбрать одни из доступных профилей работы памяти. После загрузки профиля соответствующие настройки изменятся, однако при этом стоит проверить значения задержки и вольтажа. Если вышеуказанные параметры установлены правильно, нужно сохранить настройки, выйти из UEFI и дождаться перезагрузки компьютера

После входа в операционную систему важно проверить стабильность работы памяти специальным приложением

Если система не загружается или во время теста компьютер зависает, или перезагружается, это означает, что материнская плата и память не станут работать вместе с такими настройками. Нужно заново зайти в BIOS и выбрать другой профиль XMP.